XR6501 是一款同步高效的升压芯片，输入将降至2.5 V 和高达5.5 V 的输出电压。采用NMOS 的主开关和PMOS 同步开关。在关闭模式它可以断开的输出输入，省略了一个肖特基二极管，断开前级不会有电流流到输入端损害其他器件，它集成了5A MOSFET 管并且用一个锂电池的输入可以得到稳定的5 V 2.5A 的输出。在移动电源和锂电池供电的手持设备得到广泛应用，从锂电池出来的3.7V 转化为标准的5V 以供后级供电，解决了很多客户的问题。
优势：
1. 外围简单。相对于传统的异步升压芯片如SY7208，TPS6107X 不同，省去了大量的外围器件，包括肖特基二极管和减少功率电感值，特别是在小巧的手持设备上占很大的优势。
2. 效率高。当输出电流在2A 或者以下，效率可以高达90%以上(客户实测)。
3. 纹波小。相对于异步电源，纹波限制在其1/3 左右，对后级的干扰少。
4. EMI 小。这也是客户在实测时发现的，特别适合小尺寸的POS 机等手持设备。


如图所示：
1. 与同步电源的IC 相比，无论从效率、工作时的温度、纹波等特性都有很好的优势。
2. XR6501/XR6502 在输出电流100mA 时会进入PWS 模式，降低自身的频率，进入一种低功耗的状态，有效的延长芯片的寿命与周期。
XR6501/XR6502 的外围器件选择建议和PCB 布线注意事项：
外围器件选择：
1. 电感1.5uH（输出5V 2.5A 电感额定电流值>6A）（输出5V 2.5A 电感额定电流值       >7A）
2.  输入电容：22uF*2
3. 输出电容：22uF+220uF(钽电容)
4. 输出电压设定5.1V 以下
5. VBAT 就近接一个1UF 电容
6. EN 电平--MCU 输出使能电平建议选2V,若MCU 智能输出Vbat 同样的电平，建议MCU 输出信号分压后60%的比例电压控制XR650X 的EN.
PCB 设计：
1. Vbat 管脚的1uF 电容尽量靠近Vbat pin 和GND,并且从电池端到Vbat pin 的走线请不要布太长太细，希望能布1mm 粗线的短线。
2. Vout 的电容尽量靠近Vout pin 和GND。
3.  大电流走粗线，若可以铺铜，EPAD 散热要处理好，尤其是大电流时。